|
|
Доставка
|
• Курьером по Украине: от 85 грн.
• Новая почта до склада: от 50 грн.
• Укрпочта: от 40 грн.
Подробнее →
|
|
Описание
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Отзывы
Новости
Написать отзыв
Задать вопрос